MSJP11N80A-BP Micro Commercial Co
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 918 pF @ 400 V
Description: N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 918 pF @ 400 V
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.82 грн |
| 10+ | 197.71 грн |
| 100+ | 159.94 грн |
| 500+ | 133.42 грн |
| 1000+ | 114.24 грн |
| 2000+ | 107.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSJP11N80A-BP Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H), Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB (H), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 918 pF @ 400 V.
Інші пропозиції MSJP11N80A-BP за ціною від 118.17 грн до 265.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSJP11N80A-BP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|