Продукція > NSF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSF03A20
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A20-TE16L
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A20G-TE16L
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A40-TE16LNIHON09+
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A40-TE16LNIECDO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A40G-TE16L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A60SHINDENGEN
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A60-TE16LNIHON08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A60-TE16L-R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A60-TE16L3
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A60G-TE16L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF040120D7A0NEXPERIASiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024
товар відсутній
NSF040120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Technology: SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1249.64 грн
2+ 1097.41 грн
NSF040120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Technology: SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1499.56 грн
2+ 1367.54 грн
NSF040120L3A0QNexperiaMOSFET BIPOLAR
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1522.04 грн
10+ 1457.52 грн
30+ 1077.43 грн
510+ 1036.24 грн
1020+ 1026.28 грн
NSF040120L4A0QNexperiaMOSFET NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1440.67 грн
10+ 1262.72 грн
30+ 1024.29 грн
60+ 992.4 грн
120+ 959.85 грн
270+ 896.08 грн
510+ 823.68 грн
NSF040120L4A0QNEXPERIAN-channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSF0610
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF080120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
товар відсутній
NSF080120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+931.45 грн
2+ 750.06 грн
3+ 709.23 грн
NSF080120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1117.74 грн
2+ 934.69 грн
3+ 851.08 грн
NSF080120L3A0QNexperiaMOSFET BIPOLAR
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+977.23 грн
10+ 954.87 грн
30+ 705.44 грн
510+ 671.56 грн
1020+ 658.28 грн
NSF080120L4A0QNEXPERIAN-channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSF080120L4A0QNexperiaMOSFET NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1052.41 грн
10+ 914.38 грн
30+ 773.2 грн
60+ 730.02 грн
120+ 687.51 грн
270+ 666.25 грн
510+ 622.41 грн
NSF150
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF2250WT1
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSF2250WT1G - NSF2250WT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 32950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3210+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3210
NSF2250WT1G
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF25 YEAR 2002 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товар відсутній
NSF25 YEAR 2003 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товар відсутній
NSF25 YEAR 2004 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товар відсутній
NSF25 YEAR 2005 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товар відсутній
NSF250
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF350
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF360
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF460
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF8BT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8BT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSF8BTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSF8DT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSF8DT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8DTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSF8GT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSF8GT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8GTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSF8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8JT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSF8JTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSF8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8KT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8KT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 800 Volt
товар відсутній
NSF8KTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSF8MT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSF8MT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8MTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSFC102J100TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC103J100TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC104J16TRC3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC104J16TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC104J50TRD2NIC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC123J100TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC123J16TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC124J16TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC224J16TRD2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC224J16TRD3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC224J50TRE4F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)