NSF040120L3A0Q NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Technology: SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Technology: SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1246.48 грн |
2+ | 1094.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF040120L3A0Q NEXPERIA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W, Technology: SiC, Mounting: THT, Power dissipation: 313W, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 46A, On-state resistance: 60mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 95nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -10...22V, Pulsed drain current: 160A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NSF040120L3A0Q за ціною від 1023.69 грн до 1518.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSF040120L3A0Q | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NSF040120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Technology: SiC Mounting: THT Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 160A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NSF040120L3A0Q | Виробник : Nexperia | MOSFET BIPOLAR |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|