Продукція > RGW

Old Part RGW-1273^ESCABLE

товар відсутній

RGW-1295

Honeywell - CS 92 PVC stranded 100m reel

товар відсутній

RGW-1296

Honeywell - CS 92 PVC solid 100m reel

товар відсутній

RGW-1382

2 x 22 AWG PVC, with Black PVC Jacket, -40 to 85C

товар відсутній

RGW-24-1Y

Panduit

Racks & Rack Cabinet Accessories Grounding Washer Kit, 3/8" (9.5mm) Stud

товар відсутній

RGW-24-1Y

Panduit Corp

Description: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

товар відсутній

RGW-32-1Y

Panduit Corp

Description: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

товар відсутній

RGW-45-CC-ZA-H

HIWIN

Description: HIWIN CARRIER
Packaging: Bulk
Type: Linear Bearing Platform
Specifications: 153.2mm Length
Part Status: Active

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	16526.61 грн

RGW00TK65DGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	459.15 грн
30+	353.12 грн
120+	315.96 грн

RGW00TK65DGVC11

Description: ROHM - RGW00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	544.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW00TK65DGVC11

IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	509.15 грн
10+	420.91 грн
25+	352.72 грн
100+	304.89 грн
250+	303.57 грн
500+	269.02 грн
1000+	231.16 грн

RGW00TK65GVC11

Description: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	304.77 грн
10+	233.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

RGW00TK65GVC11

IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	482.03 грн
10+	399.52 грн
100+	280.32 грн
500+	243.78 грн
1000+	196.62 грн

RGW00TK65GVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W

товар відсутній

RGW00TS65CHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	946.24 грн
10+	821.95 грн
30+	708.76 грн
60+	617.76 грн
270+	559.97 грн
510+	513.47 грн

RGW00TS65CHRC11

Description: IGBT 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns
Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	860.1 грн
10+	729.78 грн
100+	631.14 грн

RGW00TS65CHRC11

Description: ROHM - RGW00TS65CHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	949.34 грн
5+	872.58 грн
10+	795.09 грн

RGW00TS65DGC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

товар відсутній

RGW00TS65DGC11

IGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

товар відсутній

RGW00TS65DHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	567.28 грн
10+	479.73 грн
25+	347.41 грн
250+	306.22 грн
450+	275.67 грн
900+	262.38 грн

RGW00TS65DHRC11

Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	565.58 грн
10+	511.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW00TS65DHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	522.38 грн
10+	431.01 грн

RGW00TS65EHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W

на замовлення 448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	561.9 грн
10+	464.08 грн

RGW00TS65EHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

товар відсутній

RGW00TS65EHRC11

Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	583.46 грн
10+	527.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW00TS65GC11

IGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	441.73 грн
10+	390.35 грн
25+	321.5 грн
100+	278.32 грн
500+	237.14 грн
1000+	195.29 грн
2500+	188.65 грн

RGW00TS65GC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

на замовлення 439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	411.01 грн
10+	355.31 грн
100+	291.1 грн

RGW00TS65HRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

на замовлення 450 шт:

термін постачання 336-345 дні (днів)

1+	498.3 грн
10+	444.59 грн
30+	368.66 грн
120+	319.51 грн

RGW00TS65HRC11

Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	468.71 грн
10+	424.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW00TS65HRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	433.28 грн
10+	357.45 грн
450+	262.81 грн

RGW40NL65DHRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	124.07 грн

Мінімальне замовлення: 1000

RGW40NL65DHRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.29 грн
10+	213.13 грн
25+	174.7 грн
100+	149.46 грн
250+	141.49 грн
500+	132.85 грн
1000+	113.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW40NL65DHRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	234.97 грн
10+	203.08 грн
25+	192 грн
100+	156.17 грн
250+	148.16 грн
500+	132.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW40NL65HRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 122-131 дні (днів)

2+	217.77 грн
10+	180.28 грн
25+	147.47 грн
100+	126.87 грн
250+	119.57 грн
500+	112.26 грн
1000+	96.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW40NL65HRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	105.03 грн

Мінімальне замовлення: 1000

RGW40NL65HRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.04 грн
10+	171.95 грн
25+	162.52 грн
100+	132.2 грн
250+	125.42 грн
500+	112.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW40TK65DGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	405.26 грн
30+	309.39 грн
120+	265.19 грн

RGW40TK65DGVC11

IGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	440.18 грн
10+	364.38 грн
25+	306.89 грн
100+	256.4 грн
250+	248.43 грн
450+	227.18 грн
900+	183.34 грн

RGW40TK65GVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.9 грн
30+	263.3 грн
120+	225.69 грн

RGW40TK65GVC11

IGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	375.08 грн
10+	310.14 грн
25+	261.05 грн
100+	217.88 грн
250+	211.23 грн
450+	198.61 грн
900+	156.1 грн

RGW40TS65DGC11

Description: ROHM - RGW40TS65DGC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	373.33 грн
10+	336.07 грн
25+	274.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW40TS65DGC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	341.31 грн
30+	260.38 грн
120+	223.17 грн

RGW40TS65DGC11

IGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.31 грн
10+	309.38 грн
30+	253.75 грн
120+	217.21 грн
270+	205.92 грн
510+	193.3 грн
1020+	165.4 грн

RGW40TS65GC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.11 грн
10+	229.1 грн
450+	164.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW40TS65GC11

IGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	310.76 грн
10+	258.2 грн
30+	180.68 грн
270+	160.75 грн
510+	137.5 грн
1020+	129.53 грн

RGW40TS65GC11

Description: ROHM - RGW40TS65GC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	309.99 грн
10+	279.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

RGW50NL65DHRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.66 грн
10+	228.41 грн
25+	187.99 грн
100+	161.41 грн
250+	152.12 грн
500+	143.48 грн
1000+	118.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW50NL65DHRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.93 грн
10+	218.44 грн
25+	206.53 грн
100+	167.98 грн
250+	159.36 грн
500+	142.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW50NL65DHRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	133.45 грн

Мінімальне замовлення: 1000

RGW50NL65HRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

RGW50NL65HRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

RGW50NL65HRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 122-131 дні (днів)

2+	237.14 грн
10+	196.32 грн
25+	161.41 грн
100+	137.5 грн
250+	130.19 грн
500+	122.22 грн
1000+	101.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW50TK65DGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	406.7 грн
30+	310.33 грн
120+	266 грн

RGW50TK65DGVC11

Description: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	467.22 грн
10+	345.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW50TK65DGVC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT

на замовлення 448 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	441.73 грн
10+	365.91 грн
30+	308.22 грн
120+	257.07 грн
270+	249.1 грн
510+	228.5 грн
1020+	184 грн

RGW50TK65GVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	348.5 грн
30+	265.75 грн
120+	227.79 грн

RGW50TK65GVC11

Description: ROHM - RGW50TK65GVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	438.15 грн
10+	356.93 грн
25+	292.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW50TK65GVC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	378.18 грн
10+	313.2 грн
30+	263.71 грн
120+	219.87 грн
270+	213.23 грн
510+	195.29 грн
1020+	157.43 грн

RGW50TS65DGC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W

на замовлення 446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	354.96 грн
30+	270.43 грн
120+	231.79 грн

RGW50TS65DGC11

Description: ROHM - RGW50TS65DGC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	413.56 грн
10+	253.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW50TS65DGC11

IGBT Transistors 650V 25A Field Stop Trench IGBT

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	389.03 грн
10+	321.6 грн
25+	225.85 грн
250+	200.61 грн
450+	172.04 грн
900+	162.08 грн

RGW50TS65GC11

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	296.76 грн
10+	239.89 грн
450+	172.51 грн

RGW50TS65GC11

Description: ROHM - RGW50TS65GC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	380.78 грн
10+	307.01 грн
25+	251.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW50TS65GC11

IGBT Transistors 650V 25A Field Stop Trench IGBT

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	325.49 грн
10+	269.66 грн
25+	189.31 грн
250+	168.06 грн
450+	144.14 грн
900+	135.51 грн

RGW60NL65DHRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 122-131 дні (днів)

2+	306.89 грн
10+	254.38 грн
25+	208.58 грн
100+	178.69 грн
250+	168.72 грн
500+	158.76 грн
1000+	136.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW60NL65HRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.39 грн
10+	215.42 грн
25+	176.69 грн
100+	151.45 грн
250+	142.82 грн
500+	134.84 грн
1000+	111.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW60TK65DGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	422.51 грн
10+	341.89 грн

RGW60TK65DGVC11

Description: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	295.83 грн
10+	222.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

RGW60TK65DGVC11

IGBT Transistors 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	458.78 грн
10+	380.42 грн
25+	322.17 грн
100+	278.32 грн
450+	231.83 грн
900+	191.31 грн

RGW60TK65GVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	372.93 грн
30+	284.57 грн

RGW60TK65GVC11

IGBT Transistors 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	404.53 грн
10+	334.59 грн
25+	282.31 грн
100+	235.15 грн
250+	227.84 грн
500+	209.24 грн
1000+	168.72 грн

RGW60TS65CHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD

на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	879.59 грн
10+	764.66 грн
25+	654.29 грн
50+	633.7 грн
100+	573.92 грн
250+	563.96 грн
450+	520.11 грн

RGW60TS65CHRC11

Description: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	888.23 грн
5+	811.48 грн
10+	733.98 грн

RGW60TS65CHRC11

Description: IGBT 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/91ns
Switching Energy: 70µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	876.63 грн
10+	743.9 грн
100+	643.4 грн

RGW60TS65DGC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	405.26 грн
10+	327.77 грн
100+	265.17 грн

RGW60TS65DGC11

IGBT Transistors 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

товар відсутній

RGW60TS65DGC11

Description: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	248.88 грн
10+	211.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

RGW60TS65DHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	428.25 грн
10+	353.09 грн

RGW60TS65DHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

товар відсутній

RGW60TS65DHRC11

Description: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	500 грн
5+	426.98 грн
10+	353.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW60TS65EHRC11

Description: ROHM - RGW60TS65EHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	525.34 грн
10+	371.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW60TS65EHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 146 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/101ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	450.53 грн
10+	371.64 грн
450+	273.26 грн

RGW60TS65EHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	499.08 грн
10+	423.96 грн
25+	331.46 грн
100+	326.15 грн
250+	300.24 грн

RGW60TS65GC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	334.12 грн
10+	289.09 грн
100+	236.9 грн

RGW60TS65GC11

IGBT Transistors 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	354.16 грн
10+	313.96 грн
25+	258.4 грн
100+	223.85 грн
500+	189.98 грн
1000+	156.76 грн
2500+	151.45 грн

RGW60TS65GC11

Description: ROHM - RGW60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	223.55 грн
10+	158.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

RGW60TS65HRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.08 грн
10+	362.09 грн
25+	253.75 грн
250+	225.85 грн
450+	193.3 грн
900+	182.01 грн

RGW60TS65HRC11

Description: ROHM - RGW60TS65HRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	277.95 грн
10+	170.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

RGW60TS65HRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.39 грн
10+	325.35 грн
450+	233.97 грн

RGW80NL65DHRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	373.53 грн
10+	309.38 грн
25+	253.75 грн
100+	217.21 грн
250+	205.26 грн
500+	193.3 грн
1000+	165.4 грн

RGW80NL65HRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.24 грн
10+	249.79 грн
25+	205.26 грн
100+	176.03 грн
250+	166.06 грн
500+	156.1 грн
1000+	134.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW80TK65DGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	415.32 грн
30+	319.28 грн
120+	285.67 грн

RGW80TK65DGVC11

IGBT Transistors 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	450.26 грн
10+	380.42 грн
25+	300.24 грн
100+	276.33 грн
250+	249.1 грн
500+	243.12 грн
1000+	209.24 грн

RGW80TK65EGVC11

IGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 25A

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	509.15 грн
10+	430.84 грн
25+	355.38 грн
100+	311.54 грн
250+	301.57 грн
450+	280.98 грн
900+	235.81 грн

RGW80TK65EGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	468.49 грн
30+	360.36 грн
120+	322.42 грн

RGW80TK65GVC11

IGBT Transistors 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	438.63 грн
10+	363.61 грн
25+	306.22 грн
100+	255.74 грн
250+	247.77 грн
500+	227.18 грн
1000+	183.34 грн

RGW80TK65GVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.54 грн
30+	309 грн
120+	264.84 грн

RGW80TS65CHRC11

Description: IGBT 650V 81A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

на замовлення 357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	839.98 грн
30+	654.92 грн
120+	616.41 грн

RGW80TS65CHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	945.46 грн
10+	856.33 грн
30+	700.13 грн
120+	629.72 грн
270+	616.43 грн
510+	548.01 грн
1020+	534.06 грн

RGW80TS65CHRC11

Description: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	976.16 грн
10+	860.66 грн
25+	809.25 грн

RGW80TS65DGC11

IGBT Transistors 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

товар відсутній

RGW80TS65DGC11

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 228ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 107W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 110nC
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RGW80TS65DGC11

товар відсутній

RGW80TS65DGC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	469.93 грн
10+	406.37 грн
100+	332.96 грн

RGW80TS65DHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	463.46 грн
10+	382.57 грн
450+	281.3 грн

RGW80TS65DHRC11

Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	502.98 грн
10+	453.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW80TS65DHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	513.8 грн
10+	436.19 грн
25+	341.43 грн
100+	336.11 грн
250+	308.88 грн

RGW80TS65EHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	561.85 грн
10+	476.67 грн
25+	373.98 грн
100+	367.33 грн
250+	338.11 грн

RGW80TS65EHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	506.58 грн
10+	418.48 грн
450+	307.72 грн

RGW80TS65EHRC11

Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	625.94 грн
10+	522.36 грн
25+	499.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW80TS65GC11

IGBT Transistors 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	316.96 грн
10+	281.11 грн
30+	243.78 грн
120+	218.54 грн
510+	185.33 грн
1020+	170.71 грн

RGW80TS65GC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.33 грн
10+	338.98 грн
100+	277.75 грн

RGW80TS65GC11

Description: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

RGW80TS65HRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	441.91 грн
10+	357.11 грн

RGW80TS65HRC11

Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	478.39 грн
10+	430.7 грн
25+	352.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGW80TS65HRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	489.78 грн
10+	411.74 грн
25+	334.79 грн
250+	297.59 грн
450+	212.56 грн
900+	199.94 грн

RGWS00TS65DGC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	448.71 грн
10+	379.66 грн
120+	275 грн
510+	242.45 грн
1020+	203.93 грн

RGWS00TS65DGC13

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G

товар відсутній

RGWS00TS65GC13

Description: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	452.31 грн
10+	345.01 грн
25+	338.3 грн
100+	307.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGWS00TS65GC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	427.01 грн
10+	353.68 грн

RGWS60TS65DGC13

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G

товар відсутній

RGWS60TS65DGC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	405.31 грн
10+	335.35 грн

RGWS60TS65GC13

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,

товар відсутній

RGWS60TS65GC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	342.54 грн
10+	283.41 грн
120+	199.28 грн

RGWS80TS65DGC13

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 71A TO247G

товар відсутній

RGWS80TS65DGC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	447.93 грн
10+	370.49 грн
30+	312.87 грн
120+	260.39 грн
270+	251.75 грн
510+	225.85 грн
1020+	186.66 грн

RGWS80TS65GC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 714-723 дні (днів)

1+	407.63 грн
10+	362.09 грн
25+	296.92 грн
100+	257.73 грн
600+	219.21 грн
1200+	180.68 грн

RGWS80TS65GC13

Description: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 71A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	409.84 грн
10+	311.48 грн
25+	305.52 грн
100+	277.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGWSX2TS65DGC13

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G

товар відсутній

RGWSX2TS65DGC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 714-723 дні (днів)

1+	539.38 грн
10+	481.25 грн
25+	399.22 грн
100+	346.74 грн
600+	301.57 грн
1200+	265.7 грн

RGWSX2TS65GC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 714-723 дні (днів)

1+	530.08 грн
10+	469.8 грн
25+	385.93 грн
100+	334.79 грн

RGWSX2TS65GC13

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G

товар відсутній

RGWSX2TS65GC13

Description: ROHM - RGWSX2TS65GC13 - IGBT, 104 A, 2 V, 288 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 104A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	505.22 грн
10+	375.56 грн
100+	303.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGWX5TS65DGC11

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N

товар відсутній

RGWX5TS65DGC11

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 305ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 213nC

товар відсутній

RGWX5TS65DGC11

товар відсутній

RGWX5TS65DGC11

IGBT Transistors IGBT

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.03 грн
10+	512.57 грн
30+	425.13 грн
120+	368 грн
510+	320.84 грн
1020+	283.64 грн
2520+	273.01 грн

RGWX5TS65DHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.91 грн
10+	386.53 грн
25+	302.9 грн
100+	297.59 грн
250+	273.67 грн

RGWX5TS65DHRC11

Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	444.86 грн
10+	401.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

RGWX5TS65DHRC11

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W

на замовлення 332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.29 грн
10+	338.7 грн

RGWX5TS65EHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

товар відсутній

RGWX5TS65EHRC11

Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	785.4 грн
10+	710.14 грн
25+	677.35 грн
100+	545.94 грн
450+	494.36 грн

RGWX5TS65EHRC11

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W

товар відсутній

RGWX5TS65GC11

IGBT Transistors IGBT

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.61 грн
10+	424.73 грн
30+	352.06 грн
120+	305.56 грн
510+	266.37 грн
1020+	235.15 грн
2520+	226.51 грн

RGWX5TS65HRC11

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	541.07 грн
10+	446.64 грн
450+	328.44 грн

RGWX5TS65HRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	600.6 грн
10+	512.57 грн
25+	431.77 грн
250+	380.62 грн
450+	285.63 грн
900+	273.01 грн

RGWX5TS65HRC11