RGW60TK65DGVC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 295.08 грн |
| 10+ | 222.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW60TK65DGVC11 ROHM
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns, Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 33 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 72 W.
Інші пропозиції RGW60TK65DGVC11 за ціною від 190.82 грн до 457.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW60TK65DGVC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 33 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 72 W |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGW60TK65DGVC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|