Продукція > TK0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK0001RKOREA98+
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK010HM00TDKBiometric Sensors ECG sensor Bartype Lite
товар відсутній
TK010HM00TDK CorporationDescription: ECG SENSOR SILMEE BARTYPE LITE
товар відсутній
TK010HM11TDKBiometric Sensors Gelpad for Bartype Lite (30 sheets)
товар відсутній
TK010HM11TDK CorporationDescription: GELPAD FOR SILMEE BARTYPE LITE (
товар відсутній
TK011AM00TDK CorporationDescription: ACCELEROMETER BLUETOOTH
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK011AM00TDKBiometric Sensors Wristband activity tracker W11
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TK01276TOKO
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01298B-F08J10TLQ
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01298B-F08J10TLQ1-3TOKO
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01560
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01563
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01851
на замовлення 8571 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK020TRIDENT04+ DIP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0205800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0205800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 2POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 2
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товар відсутній
TK02058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK020AM00/BLTDKBiometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 long band
товар відсутній
TK020AM00/BLTDK CorporationDescription: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM
товар відсутній
TK020AM00/BSTDKBiometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 standard band
товар відсутній
TK020AM00/BSTDK CorporationDescription: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM
товар відсутній
TK0305800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0305800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 3POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 3
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товар відсутній
TK0326/702378T07+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0405800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK04058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK040N65Z,S1FToshibaMOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+797.44 грн
10+ 673.76 грн
TK040N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 57A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+719.27 грн
30+ 552.97 грн
TK040N65Z,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK040N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK040N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.97 грн
5+ 735.47 грн
10+ 657.23 грн
50+ 597.83 грн
100+ 540.99 грн
TK040N65Z,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK040N65Z,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK040N65ZS1F(SToshibaToshiba
товар відсутній
TK040Z65Z,S1FToshibaMOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+878.81 грн
10+ 727.99 грн
25+ 587.2 грн
100+ 527.42 грн
250+ 502.18 грн
500+ 465.64 грн
1000+ 419.15 грн
TK040Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.16 грн
TK040Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK040Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.12 грн
5+ 789.13 грн
10+ 672.14 грн
TK042N65Z5,S1F(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 300 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+749.45 грн
30+ 576.27 грн
120+ 515.61 грн
TK050TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.15mm2
Number of cores: 2
Version: mono; stereo
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1117.74 грн
2+ 707.05 грн
4+ 643.5 грн
TK050TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.15mm2
Number of cores: 2
Version: mono; stereo
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+931.45 грн
2+ 567.39 грн
4+ 536.25 грн
TK0505800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK05058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK050WV03-001-AKyocera DisplayTFT Displays & Accessories 5.0" TFT Tool Kit w/VGA and DVI
товар відсутній
TK055TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: XLR - JACK
Version: stereo
Core section: 0.08mm2
Insulation colour: black
Number of cores: 2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.51 грн
3+ 316.21 грн
TK055TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: XLR - JACK
Version: stereo
Core section: 0.08mm2
Insulation colour: black
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+598.22 грн
3+ 394.05 грн
7+ 358.7 грн
TK055U60Z1,RQToshibaMOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.76 грн
10+ 333.82 грн
25+ 274.34 грн
100+ 234.48 грн
250+ 221.86 грн
500+ 208.58 грн
1000+ 187.99 грн
TK055U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.18 грн
10+ 297.05 грн
100+ 240.3 грн
500+ 200.45 грн
1000+ 171.64 грн
TK055U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+178.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK055U60Z1,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.23 грн
10+ 368.85 грн
25+ 326.38 грн
100+ 274.01 грн
500+ 226.74 грн
2000+ 212.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK055U60Z1,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+368.85 грн
25+ 326.38 грн
100+ 274.01 грн
500+ 226.74 грн
2000+ 212.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK060TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,RCA plug x2; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: Jack - RCA
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; RCA plug x2
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+887.93 грн
2+ 561.33 грн
5+ 510.65 грн
TK060TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,RCA plug x2; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: Jack - RCA
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; RCA plug x2
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739.95 грн
2+ 450.45 грн
5+ 425.54 грн
TK0605800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0605800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 6POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 6
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товар відсутній
TK06058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK065TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3
Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug
Insulation colour: black
Number of cores: 3
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: USB - RCA
Core section: 0.08mm2
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1444.12 грн
2+ 1267.63 грн
TK065TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3
Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug
Insulation colour: black
Number of cores: 3
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: USB - RCA
Core section: 0.08mm2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1732.95 грн
2+ 1579.66 грн
TK065N65ZToshibaMOSFET
товар відсутній
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK065N65Z,S1FToshibaMOSFET 270W 1MHz TO-247
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.2 грн
10+ 419.38 грн
25+ 330.8 грн
100+ 309.54 грн
500+ 261.05 грн
1000+ 229.83 грн
TK065N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.81 грн
10+ 371.78 грн
TK065N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+596.13 грн
5+ 463.49 грн
10+ 392.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK065N65Z,S1F(SToshibaPower MOSFET (N-ch 500V
товар відсутній
TK065N65ZS1F(SToshibaToshiba
товар відсутній
TK065U65ZToshibaToshiba
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.11 грн
10+ 333.1 грн
100+ 277.55 грн
500+ 229.83 грн
1000+ 206.85 грн
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.86 грн
10+ 370.49 грн
25+ 291.61 грн
100+ 268.36 грн
250+ 251.75 грн
500+ 236.48 грн
1000+ 212.56 грн
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK065U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.29 грн
10+ 379.29 грн
100+ 336.07 грн
500+ 275.39 грн
1000+ 233.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK065U65Z,RQ(SToshibaTK065U65Z,RQ(S
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+211.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK065U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+379.29 грн
100+ 336.07 грн
500+ 275.39 грн
1000+ 233.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK065V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT 6.5" VGA
товар відсутній
TK065Z65Z,S1FToshibaMOSFET PWR MOSFET TRANSISTR PD=270W F=1MHz
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.13 грн
10+ 475.14 грн
25+ 350.73 грн
100+ 338.11 грн
250+ 322.17 грн
500+ 306.89 грн
1000+ 282.31 грн
TK065Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
товар відсутній
TK065Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+572.28 грн
5+ 537.26 грн
10+ 502.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK065Z65Z,S1F(OToshibaPower MOSFET (N-ch 500V
товар відсутній
TK065Z65ZS1F(OToshibaToshiba
товар відсутній
TK0705800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK07058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK075TASKERTAS-TK075 Audio - Video Cables
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+846.8 грн
2+ 515.63 грн
6+ 487.4 грн
TK07H90A
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK080TASKERTAS-TK080 Audio - Video Cables
товар відсутній
TK08001N/A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0805800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK08058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0805P34A1BGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK084V00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товар відсутній
TK084V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товар відсутній
TK084X00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
товар відсутній
TK084X00-001Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK085TASKERTAS-TK085 Audio - Video Cables
товар відсутній
TK0905800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK09058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK090A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.97 грн
10+ 286.81 грн
TK090A65Z,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK090A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.87 грн
10+ 316.69 грн
50+ 280.18 грн
100+ 235.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK090E65Z,S1XToshibaMOSFET 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+354.94 грн
10+ 307.85 грн
50+ 205.92 грн
100+ 187.99 грн
250+ 183.34 грн
500+ 174.04 грн
TK090E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.9 грн
10+ 318.15 грн
TK090N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.56 грн
TK090N65Z,S1FToshibaMOSFET 230W 1MHz TO-247
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.11 грн
10+ 408.68 грн
100+ 290.95 грн
500+ 247.1 грн
TK090N65Z,S1F(SToshibaSilicon N Channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK090N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.65 грн
10+ 371.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK090U65ZToshibaToshiba
товар відсутній
TK090U65Z,RQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.23 грн
10+ 351.39 грн
100+ 250.43 грн
500+ 213.89 грн
1000+ 181.34 грн
2000+ 172.04 грн
4000+ 170.05 грн
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+326.53 грн
39+ 303.09 грн
100+ 261.41 грн
500+ 223.26 грн
1000+ 180.04 грн
Мінімальне замовлення: 36
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.2 грн
10+ 341.54 грн
100+ 279.8 грн
500+ 223.54 грн
1000+ 188.52 грн
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+198.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.21 грн
10+ 281.44 грн
100+ 242.74 грн
500+ 207.31 грн
1000+ 167.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.44 грн
10+ 307.75 грн
25+ 272.73 грн
100+ 228.34 грн
500+ 189.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK090U65Z,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+228.34 грн
500+ 189.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK090Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.17 грн
10+ 341.4 грн
TK090Z65Z,S1FToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.63 грн
10+ 375.07 грн
25+ 269.02 грн
100+ 252.42 грн
250+ 242.45 грн
500+ 233.82 грн
1000+ 221.2 грн
TK090Z65Z,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK090Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+464.24 грн
5+ 439.65 грн
10+ 415.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK095N65Z5,S1FToshibaMOSFET 650V DTMOS6-High Speed Diode 95mohm TO-247
товар відсутній
TK095N65Z5,S1F(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
товар відсутній
TK095N65Z5,S1F(SToshibaToshiba N CHAN 650V TO-247
товар відсутній
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+404.77 грн
32+ 364.1 грн
100+ 280.59 грн
250+ 257.24 грн
500+ 218.94 грн
1000+ 183.15 грн
3000+ 174.37 грн
Мінімальне замовлення: 29
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+170.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товар відсутній
TK099V65Z,LQToshibaMOSFET 230W 1MHz 8x8DFN
на замовлення 9982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.28 грн
10+ 315.49 грн
25+ 259.06 грн
100+ 221.86 грн
250+ 209.24 грн
500+ 197.28 грн
1000+ 168.72 грн
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товар відсутній
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товар відсутній
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 14954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.65 грн
10+ 283.56 грн
100+ 229.39 грн
500+ 191.36 грн
1000+ 163.85 грн
TK099V65Z,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+406.86 грн
10+ 291.36 грн
100+ 235.47 грн
500+ 206.2 грн
1000+ 162.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+240.28 грн
51+ 231.12 грн
100+ 223.28 грн
250+ 208.77 грн
500+ 188.05 грн
1000+ 176.11 грн
Мінімальне замовлення: 49
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+235.47 грн
500+ 206.2 грн
1000+ 162.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+373.08 грн
37+ 315.68 грн
50+ 240.48 грн
100+ 230.93 грн
200+ 201.46 грн
500+ 170.49 грн
1000+ 166.25 грн
2500+ 159.47 грн
Мінімальне замовлення: 32
TK09H90AToshibaToshiba
товар відсутній
TK09H90ATOSHIBA
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK09H90A (Q)ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK09H90A(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm
товар відсутній
TK09N90A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0DT9PCB-L1
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)