TK090N65Z,S1F(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 477.65 грн |
10+ | 371.09 грн |
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Технічний опис TK090N65Z,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK090N65Z,S1F(S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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TK090N65Z,S1F(S | Виробник : Toshiba | Silicon N Channel MOSFET |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |