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SBRD8330G SBRD8330G ONSEMI MBRD320-D.PDF Description: ONSEMI - SBRD8330G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: MBRD330
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
ECH8693R-TL-W ECH8693R-TL-W ONSEMI 2337926.pdf Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 0.0056 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0056ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0056ohm
Dauer-Drainstrom Id: 14A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.69 грн
17+ 45.08 грн
100+ 31.26 грн
500+ 23.07 грн
1000+ 17.02 грн
3000+ 15.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
ECH8654-TL-H ECH8654-TL-H ONSEMI 2578330.pdf Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.34 грн
15+ 51.12 грн
100+ 31.79 грн
500+ 20.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
ECH8310-TL-H ECH8310-TL-H ONSEMI 2578329.pdf Description: ONSEMI - ECH8310-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.009 ohm, SOT-28FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB047N10 FDB047N10 ONSEMI 2304411.pdf Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS8449 FDS8449 ONSEMI 680887.pdf Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
FJE5304D FJE5304D ONSEMI FJE5304D-D.pdf Description: ONSEMI - FJE5304D - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FJE5304DTU FJE5304DTU ONSEMI FJE5304D-D.pdf Description: ONSEMI - FJE5304DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB9503L-F085 FDB9503L-F085 ONSEMI 2907357.pdf Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 333
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB9503L-F085 FDB9503L-F085 ONSEMI 2907357.pdf Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP4620DSN50T1G. NCP4620DSN50T1G. ONSEMI 1878393.pdf Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NCP4620DSN50T1G. NCP4620DSN50T1G. ONSEMI 1878393.pdf Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
SZESD5Z2.5T5G SZESD5Z2.5T5G ONSEMI ESD5Z2.5T1-D.PDF Description: ONSEMI - SZESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9
Betriebsspannung: 2.5
Verlustleistung Pd: 500
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FAN4146SX FAN4146SX ONSEMI FAN4146-D.PDF Description: ONSEMI - FAN4146SX - GROUND FAULT INTERUPTER
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FPF2286UCX FPF2286UCX ONSEMI ONSM-S-A0013296833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FPF2286UCX - Überspannungsschutzbaustein für Akku, 2.8V bis 23V, 4A, niedriger Betriebswiderstand, WLCSP6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.025ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.97 грн
24+ 31.72 грн
100+ 24.69 грн
500+ 15.57 грн
3000+ 14.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
FJD5304DTF FJD5304DTF ONSEMI 2572447.pdf Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 8hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.36 грн
13+ 59.73 грн
100+ 42.14 грн
500+ 24.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDV304P FDV304P ONSEMI ONSM-S-A0014832097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV304P FDV304P ONSEMI 2298387.pdf Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 12283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.99 грн
19+ 41.23 грн
100+ 25.9 грн
500+ 15.22 грн
3000+ 11.91 грн
9000+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 16
SZHBL5006XV2T5G SZHBL5006XV2T5G ONSEMI HBL5006-D.PDF Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T5G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SZHBL5006HT1G SZHBL5006HT1G ONSEMI HBL5006-D.PDF Description: ONSEMI - SZHBL5006HT1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 250 mA, SOD-323, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-323
Durchlassstrom, max.: 250
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SZHBL5006XV2T1G SZHBL5006XV2T1G ONSEMI HBL5006-D.PDF Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
80SQ045NRLG 80SQ045NRLG ONSEMI 85885.pdf Description: ONSEMI - 80SQ045NRLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FSB660A FSB660A ONSEMI 1863449.pdf Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.73 грн
500+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
FSB660A FSB660A ONSEMI ONSM-S-A0013297934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.76 грн
27+ 28.09 грн
100+ 18.73 грн
500+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDB047N10 FDB047N10 ONSEMI 2304411.pdf Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
BDW47G BDW47G ONSEMI 1912248.pdf Description: ONSEMI - BDW47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 15 A, 85 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
DFB2060 DFB2060 ONSEMI DFB2080-D.pdf Description: ONSEMI - DFB2060 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.51 грн
10+ 164.63 грн
100+ 132.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
DFB2080 DFB2080 ONSEMI DFB2080-D.pdf Description: ONSEMI - DFB2080 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
DFB2580 DFB2580 ONSEMI DFB2505-D.PDF Description: ONSEMI - DFB2580 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 25 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318 FOD8318 ONSEMI FOD8318-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8318 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318R2V FOD8318R2V ONSEMI FOD8318-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8318R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318V FOD8318V ONSEMI FOD8318-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8318V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318R2 FOD8318R2 ONSEMI FOD8318-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8318R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316V FOD8316V ONSEMI FOD8316-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8316V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316R2V FOD8316R2V ONSEMI FOD8316-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8316R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316 FOD8316 ONSEMI FOD8316-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8316 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316R2 FOD8316R2 ONSEMI FOD8316-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316R2 ONSEMI FOD8316-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
KSD363RTU KSD363RTU ONSEMI KSD363-D.pdf Description: ONSEMI - KSD363RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 6 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCV47722PAAJR2G NCV47722PAAJR2G ONSEMI ONSM-S-A0013749985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 350mA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
NL17SZ74USG NL17SZ74USG ONSEMI 2013787.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP1236BD65R2G NCP1236BD65R2G ONSEMI 2236900.pdf Description: ONSEMI - NCP1236BD65R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -A
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.91 грн
500+ 28.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
BAS70-04LT1G BAS70-04LT1G ONSEMI 2236823.pdf Description: ONSEMI - BAS70-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
NVBLS0D5N04CTXG NVBLS0D5N04CTXG ONSEMI nvbls0d5n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 300
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 198.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+715.89 грн
10+ 580.72 грн
100+ 504.45 грн
500+ 393.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G ONSEMI 704146.pdf Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.48 грн
500+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013670025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.29 грн
13+ 61.77 грн
100+ 44.4 грн
500+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G ONSEMI 704146.pdf Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.29 грн
13+ 60.11 грн
100+ 44.48 грн
500+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHD4P02FT1G NTHD4P02FT1G ONSEMI Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDC637AN FDC637AN ONSEMI ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDC637AN FDC637AN ONSEMI ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSR0170HT1G NSR0170HT1G ONSEMI 2578356.pdf Description: ONSEMI - NSR0170HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.23 грн
95+ 8 грн
197+ 3.85 грн
500+ 2.31 грн
3000+ 1.62 грн
9000+ 1.42 грн
24000+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 62
NSR0170P2T5G NSR0170P2T5G ONSEMI ONSM-S-A0013749857-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 65694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.95 грн
30+ 25.52 грн
100+ 8.99 грн
500+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 22
US2KA US2KA ONSEMI US2AA-D.PDF Description: ONSEMI - US2KA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 75
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
SB350 SB350 ONSEMI SB380-D.pdf Description: ONSEMI - SB350 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 740 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 740
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 12283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.9 грн
500+ 15.22 грн
3000+ 11.91 грн
9000+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 100
NLAS4599DTT1G NLAS4599DTT1G ONSEMI 1712834.pdf Description: ONSEMI - NLAS4599DTT1G - ANALOG SCHALTER,SPDT, SMD
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 25ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Schnittstellen: 0
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.83 грн
27+ 28.85 грн
100+ 17.82 грн
500+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 23
NCS20064DTBR2G NCS20064DTBR2G ONSEMI 3213426.pdf Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.86 грн
11+ 72.87 грн
100+ 47.88 грн
500+ 33.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
NCS20064DTBR2G NCS20064DTBR2G ONSEMI 3213426.pdf Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.88 грн
500+ 33.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCV20064DTBR2G ONSEMI 3213426.pdf Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: WTSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 1.2V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.78 грн
250+ 53.72 грн
500+ 50.42 грн
1000+ 39.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
SBRD8330G MBRD320-D.PDF
SBRD8330G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRD8330G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: MBRD330
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
ECH8693R-TL-W 2337926.pdf
ECH8693R-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 0.0056 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0056ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0056ohm
Dauer-Drainstrom Id: 14A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+53.69 грн
17+ 45.08 грн
100+ 31.26 грн
500+ 23.07 грн
1000+ 17.02 грн
3000+ 15.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
ECH8654-TL-H 2578330.pdf
ECH8654-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+60.34 грн
15+ 51.12 грн
100+ 31.79 грн
500+ 20.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
ECH8310-TL-H 2578329.pdf
ECH8310-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8310-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.009 ohm, SOT-28FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB047N10 2304411.pdf
FDB047N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS8449 680887.pdf
FDS8449
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
FJE5304D FJE5304D-D.pdf
FJE5304D
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJE5304D - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FJE5304DTU FJE5304D-D.pdf
FJE5304DTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJE5304DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB9503L-F085 2907357.pdf
FDB9503L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 333
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB9503L-F085 2907357.pdf
FDB9503L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP4620DSN50T1G. 1878393.pdf
NCP4620DSN50T1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NCP4620DSN50T1G. 1878393.pdf
NCP4620DSN50T1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
SZESD5Z2.5T5G ESD5Z2.5T1-D.PDF
SZESD5Z2.5T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9
Betriebsspannung: 2.5
Verlustleistung Pd: 500
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FAN4146SX FAN4146-D.PDF
FAN4146SX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN4146SX - GROUND FAULT INTERUPTER
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FPF2286UCX ONSM-S-A0013296833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FPF2286UCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF2286UCX - Überspannungsschutzbaustein für Akku, 2.8V bis 23V, 4A, niedriger Betriebswiderstand, WLCSP6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.025ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+38.97 грн
24+ 31.72 грн
100+ 24.69 грн
500+ 15.57 грн
3000+ 14.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
FJD5304DTF 2572447.pdf
FJD5304DTF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 8hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+71.36 грн
13+ 59.73 грн
100+ 42.14 грн
500+ 24.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDV304P ONSM-S-A0014832097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDV304P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV304P 2298387.pdf
FDV304P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDN304PZ ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 12283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+49.99 грн
19+ 41.23 грн
100+ 25.9 грн
500+ 15.22 грн
3000+ 11.91 грн
9000+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 16
SZHBL5006XV2T5G HBL5006-D.PDF
SZHBL5006XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T5G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SZHBL5006HT1G HBL5006-D.PDF
SZHBL5006HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006HT1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 250 mA, SOD-323, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-323
Durchlassstrom, max.: 250
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SZHBL5006XV2T1G HBL5006-D.PDF
SZHBL5006XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
80SQ045NRLG 85885.pdf
80SQ045NRLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 80SQ045NRLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FSB660A 1863449.pdf
FSB660A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.73 грн
500+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
FSB660A ONSM-S-A0013297934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FSB660A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+33.76 грн
27+ 28.09 грн
100+ 18.73 грн
500+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDB047N10 2304411.pdf
FDB047N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
BDW47G 1912248.pdf
BDW47G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDW47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 15 A, 85 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
DFB2060 DFB2080-D.pdf
DFB2060
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2060 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+220.51 грн
10+ 164.63 грн
100+ 132.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
DFB2080 DFB2080-D.pdf
DFB2080
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2080 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+225.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
DFB2580 DFB2505-D.PDF
DFB2580
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2580 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 25 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318 FOD8318-D.PDF
FOD8318
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318R2V FOD8318-D.PDF
FOD8318R2V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318V FOD8318-D.PDF
FOD8318V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318R2 FOD8318-D.PDF
FOD8318R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316V FOD8316-D.PDF
FOD8316V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316R2V FOD8316-D.PDF
FOD8316R2V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316 FOD8316-D.PDF
FOD8316
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316R2 FOD8316-D.PDF
FOD8316R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316R2 FOD8316-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
KSD363RTU KSD363-D.pdf
KSD363RTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 6 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCV47722PAAJR2G ONSM-S-A0013749985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV47722PAAJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 350mA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
NL17SZ74USG 2013787.pdf
NL17SZ74USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP1236BD65R2G 2236900.pdf
NCP1236BD65R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1236BD65R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -A
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.91 грн
500+ 28.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
BAS70-04LT1G 2236823.pdf
BAS70-04LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS70-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
NVBLS0D5N04CTXG nvbls0d5n04c-d.pdf
NVBLS0D5N04CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 300
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 198.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+715.89 грн
10+ 580.72 грн
100+ 504.45 грн
500+ 393.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHD3100CT1G 704146.pdf
NTHD3100CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.48 грн
500+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTHD4102PT1G ONSM-S-A0013670025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTHD4102PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+79.29 грн
13+ 61.77 грн
100+ 44.4 грн
500+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHD3100CT1G 704146.pdf
NTHD3100CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+79.29 грн
13+ 60.11 грн
100+ 44.48 грн
500+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHD4P02FT1G
NTHD4P02FT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDC637AN ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDC637AN ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSR0170HT1G 2578356.pdf
NSR0170HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0170HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+12.23 грн
95+ 8 грн
197+ 3.85 грн
500+ 2.31 грн
3000+ 1.62 грн
9000+ 1.42 грн
24000+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 62
NSR0170P2T5G ONSM-S-A0013749857-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR0170P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 65694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+35.95 грн
30+ 25.52 грн
100+ 8.99 грн
500+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 22
US2KA US2AA-D.PDF
US2KA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - US2KA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 75
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
SB350 SB380-D.pdf
SB350
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB350 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 740 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 740
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDN304PZ ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 12283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.9 грн
500+ 15.22 грн
3000+ 11.91 грн
9000+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 100
NLAS4599DTT1G 1712834.pdf
NLAS4599DTT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4599DTT1G - ANALOG SCHALTER,SPDT, SMD
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 25ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Schnittstellen: 0
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+33.83 грн
27+ 28.85 грн
100+ 17.82 грн
500+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 23
NCS20064DTBR2G 3213426.pdf
NCS20064DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.86 грн
11+ 72.87 грн
100+ 47.88 грн
500+ 33.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
NCS20064DTBR2G 3213426.pdf
NCS20064DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+47.88 грн
500+ 33.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCV20064DTBR2G 3213426.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: WTSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 1.2V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+61.78 грн
250+ 53.72 грн
500+ 50.42 грн
1000+ 39.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
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