на замовлення 32991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.71 грн |
| 10+ | 40.4 грн |
| 100+ | 24.71 грн |
| 500+ | 21.26 грн |
| 1000+ | 18.15 грн |
| 3000+ | 15.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8693R-TL-W onsemi
Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 0.0056 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0056ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds: 24V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0056ohm, Dauer-Drainstrom Id: 14A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 1.4W, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ECH8693R-TL-W за ціною від 15.79 грн до 55.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ECH8693R-TL-W | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 0.0056 ohmtariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0056ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-28FL Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds: 24V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0056ohm Dauer-Drainstrom Id: 14A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.4W SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 5300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ECH8693R-TL-W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ECH8693R-TL-W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Part Status: Active |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|