1.5SMC8.2A Littelfuse
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1.5SMC8.2A Littelfuse
Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 8.2V; 125.6A; unidirectional; ±5%; SMC; reel,tape, Type of diode: TVS, Mounting: SMD, Tolerance: ±5%, Kind of package: reel; tape, Case: SMC, Semiconductor structure: unidirectional, Leakage current: 0.2mA, Features of semiconductor devices: glass passivated, Max. off-state voltage: 7.02V, Max. forward impulse current: 125.6A, Breakdown voltage: 8.2V, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 1.5SMC8.2A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1.5SMC8.2A | Виробник : LITTELFUSE |
 Category: Unidirectional SMD transil diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 8.2V; 125.6A; unidirectional; ±5%; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SMC Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 0.2mA Features of semiconductor devices: glass passivated Max. off-state voltage: 7.02V Max. forward impulse current: 125.6A Breakdown voltage: 8.2V Peak pulse power dissipation: 1.5kW кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
1.5SMC8.2A | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AB |
товар відсутній |
|
|
|
1.5SMC8.2A | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AB |
товар відсутній |
|
 |
1.5SMC8.2A | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AB |
товар відсутній |
|
 |
1.5SMC8.2A | Виробник : Bourns |
ESD Suppressors / TVS Diodes 8.2V 1500W UniDir |
товар відсутній |
|
|
|
1.5SMC8.2A | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 8.2V; 125.6A; unidirectional; ±5%; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SMC Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 0.2mA Features of semiconductor devices: glass passivated Max. off-state voltage: 7.02V Max. forward impulse current: 125.6A Breakdown voltage: 8.2V Peak pulse power dissipation: 1.5kW |
товар відсутній |