1EDB8275FXUMA1

1EDB8275FXUMA1 Infineon Technologies


Infineon-1EDB7275F-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d26f99f1b3376 Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 8.5V ~ 20V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1EDB8275FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9.8A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5.4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції 1EDB8275FXUMA1 за ціною від 65.66 грн до 181.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 Виробник : INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+107.52 грн
250+ 93.49 грн
500+ 81.32 грн
1000+ 67.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-1EDB7275F-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d26f99f1b3376 Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 8.5V ~ 20V
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.48 грн
10+ 136.79 грн
25+ 129.05 грн
100+ 103.2 грн
250+ 96.9 грн
500+ 84.79 грн
1000+ 69.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_1EDB8275F_DataSheet_v02_02_EN-3360452.pdf Gate Drivers DRIVER IC
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.93 грн
10+ 138.61 грн
100+ 103.89 грн
250+ 97.89 грн
500+ 85.91 грн
1000+ 69.92 грн
2500+ 65.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 Виробник : INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+181.53 грн
10+ 141.19 грн
50+ 128.49 грн
100+ 107.52 грн
250+ 93.49 грн
500+ 81.32 грн
1000+ 67.23 грн
Мінімальне замовлення: 5