на замовлення 9966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 7.21 грн |
61+ | 5.04 грн |
100+ | 3.72 грн |
500+ | 2.99 грн |
1000+ | 2.52 грн |
5000+ | 1.93 грн |
10000+ | 1.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4007GP Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO204AC, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: DO-204AC, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AC (DO-41), Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції 1N4007GP за ціною від 0.73 грн до 10.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N4007GP | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 50uA Kind of package: Ammo Pack Max. off-state voltage: 1kV Max. load current: 5.4A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated Mounting: THT Case: DO41 |
на замовлення 3195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4007GP | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 50uA Kind of package: Ammo Pack Max. off-state voltage: 1kV Max. load current: 5.4A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated Mounting: THT Case: DO41 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3195 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4007GP | Виробник : Diotec Electronics | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 1500ns 2-Pin DO-41 Ammo |
на замовлення 3195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
1N4007GP | Виробник : VISHAY | 09+ MSOP-8 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
1N4007GP | Виробник : Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 1500ns 2-Pin DO-41 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N4007GP | Виробник : Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 1500ns 2-Pin DO-41 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N4007GP | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-41) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N4007GP | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO204AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AC, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-41) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |