1N4150W-G3-08

1N4150W-G3-08 Vishay Semiconductors


Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
на замовлення 14980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.73 грн
21+ 14.82 грн
100+ 6.28 грн
1000+ 3.67 грн
2500+ 3.14 грн
10000+ 2.54 грн
15000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 15
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N4150W-G3-08 Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: SOD-123, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V.

Інші пропозиції 1N4150W-G3-08

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N4150W-G3-08 1N4150W-G3-08 Виробник : Vishay 1n4150w-g.pdf Diode Small Signal Switching 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
товар відсутній
1N4150W-G3-08 1N4150W-G3-08 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товар відсутній