1N5811US/TR Microchip Technology
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 455.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5811US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V.
Інші пропозиції 1N5811US/TR за ціною від 460.85 грн до 549.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5811US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
1N5811US/TR | Виробник : Microchip Technology | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT TR |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
1N5811US/TR | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF T/R |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
1N5811US/TR | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
1N5811US/TR | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
1N5811US/TR | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF T/R |
товар відсутній |
||||||||
1N5811US/TR | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF T/R |
товар відсутній |
||||||||
1N5811US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
товар відсутній |