1N5818G

1N5818G onsemi


1N5817_D-2309635.pdf Виробник: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30V
на замовлення 20710 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.73 грн
15+ 20.6 грн
100+ 10.72 грн
500+ 9.92 грн
1000+ 6.73 грн
2000+ 6.19 грн
7000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N5818G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V.

Інші пропозиції 1N5818G за ціною від 2.53 грн до 24.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N5818-G Виробник : Comchip Technology 1N5817-G Thru936489. 1N5819-G RevA-1291068.pdf Schottky Diodes & Rectifiers VRRM=30V, IAV=1.0A
на замовлення 20580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.55 грн
18+ 17.08 грн
100+ 7.53 грн
1000+ 4.53 грн
5000+ 3.8 грн
10000+ 3.13 грн
50000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N5818G 1N5818G Виробник : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
товар відсутній
1N5818G 1N5818G Виробник : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
товар відсутній
1N5818G 1N5818G Виробник : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
товар відсутній
1N5818G 1N5818G Виробник : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
товар відсутній
1N5818G 1N5818G Виробник : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
товар відсутній
1N5818G 1N5818G Виробник : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
товар відсутній
1N5818G 1N5818G Виробник : ONSEMI 1n5817-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.875V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE59
Max. forward impulse current: 25A
Max. forward voltage: 0.875V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
1N5818G 1N5818G Виробник : onsemi 1n5817-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товар відсутній
1N5818G 1N5818G Виробник : ONSEMI 1n5817-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.875V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE59
Max. forward impulse current: 25A
Max. forward voltage: 0.875V
товар відсутній