Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 1SS193,LF
1SS193,LF

1SS193,LF Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193_datasheet_en_20171019.pdf?did=3272&prodName=1SS193 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.37 грн
6000+ 2.12 грн
9000+ 1.76 грн
30000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1SS193,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: S-Mini, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.

Інші пропозиції 1SS193,LF за ціною від 1.66 грн до 15.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1SS193,LF 1SS193,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 1SS193_datasheet_en_20171019.pdf?did=3272&prodName=1SS193 Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 55824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.65 грн
30+ 9.34 грн
100+ 4.55 грн
500+ 3.56 грн
1000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
1SS193,LF 1SS193,LF Виробник : Toshiba 1SS193_datasheet_en_20171019-1916076.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
на замовлення 56010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.11 грн
30+ 10.39 грн
100+ 3.72 грн
1000+ 2.59 грн
3000+ 1.99 грн
9000+ 1.73 грн
24000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
1SS193,LF 1SS193,LF Виробник : Toshiba 2dst_1ss193-tde_en_1734.pdf Rectifier Diode Switching 85V 0.1A 4ns 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
1SS193,LF Виробник : Toshiba 2dst_1ss193-tde_en_1734.pdf Rectifier Diode Switching 85V 0.1A 4ns 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
1SS193,LF 1SS193,LF Виробник : Toshiba 2dst_1ss193-tde_en_1734.pdf Rectifier Diode Switching 85V 0.1A 4ns 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній