1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.19 грн |
6000+ | 1.95 грн |
9000+ | 1.62 грн |
30000+ | 1.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V.
Інші пропозиції 1SS367,H3F за ціною від 1.59 грн до 14.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1SS367,H3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V |
на замовлення 69327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1SS367,H3F | Виробник : Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky Barrier Diode |
на замовлення 23441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1SS367,H3F | Виробник : Toshiba | Rectifier Diode Small Signal Schottky Si 15V 0.1A 2-Pin USC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1SS367,H3F | Виробник : Toshiba | Rectifier Diode Small Signal Schottky Si 15V 0.1A 2-Pin USC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1SS367,H3F | Виробник : Toshiba | Rectifier Diode Small Signal Schottky Si 15V 0.1A 2-Pin USC T/R |
товар відсутній |