1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.02 грн |
30000+ | 1.91 грн |
50000+ | 1.71 грн |
100000+ | 1.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-882, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: CST2, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.
Інші пропозиції 1SS387CT,L3F за ціною від 1.43 грн до 15.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1SS387CT,L3F | Виробник : Toshiba | Diode Switching Si 85V 0.1A 2-Pin CST T/R |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1SS387CT,L3F | Виробник : Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 80V 100MA CST2 |
на замовлення 86701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1SS387CT,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: CST2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 180873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1SS387CT,L3F | Виробник : Toshiba | Diode Switching Si 85V 0.1A 2-Pin CST T/R |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
1SS387CT,L3F | Виробник : Toshiba | Diode Switching Si 85V 0.1A 2-Pin CST T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1SS387CT,L3F | Виробник : Toshiba | Diode Switching Si 85V 0.1A 2-Pin CST T/R |
товар відсутній |