1SS406,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.27 грн |
| 6000+ | 2.03 грн |
| 9000+ | 1.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SS406,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 50mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V.
Інші пропозиції 1SS406,H3F за ціною від 1.86 грн до 15.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1SS406,H3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA USC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 50mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V |
на замовлення 11622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 1SS406,H3F | Виробник : Toshiba |
Diodes - General Purpose, Power, Switching SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIODE |
на замовлення 21544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|