2N3055G

2N3055G onsemi


2n3055-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+299.67 грн
10+ 242.65 грн
25+ 228.97 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3055G onsemi

Description: TRANS NPN 60V 15A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2.5MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 115 W.

Інші пропозиції 2N3055G за ціною від 135.85 грн до 325.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N3055G 2N3055G Виробник : onsemi 2N3055_D-2309270.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V
на замовлення 6763 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+325.53 грн
10+ 255.02 грн
50+ 221.09 грн
100+ 184.46 грн
200+ 174.48 грн
400+ 140.51 грн
1200+ 135.85 грн
2N3055G 2N3055G Виробник : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N3055G 2N3055G Виробник : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N3055G 2N3055G Виробник : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N3055G 2N3055G Виробник : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N3055G 2N3055G Виробник : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N3055G 2N3055G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013185344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
товар відсутній
2N3055G 2N3055G Виробник : ONSEMI 2N3055G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N3055G 2N3055G Виробник : ONSEMI 2N3055G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
товар відсутній