2N3055G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 304.76 грн |
10+ | 246.67 грн |
25+ | 232.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3055G onsemi
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2.5MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 115 W.
Інші пропозиції 2N3055G за ціною від 136.19 грн до 326.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N3055G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V |
на замовлення 6752 шт: термін постачання 126-135 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N3055G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N3055G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N3055G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N3055G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N3055G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N3055G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 2.5MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N3055G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N3055G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
товар відсутній |