2N2906AUB Microchip Technology
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 651.15 грн |
100+ | 595.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2906AUB Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N2906AUB
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2N2906AUB | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
товар відсутній |
||
2N2906AUB | Виробник : MICROSEMI |
UBPNP TRANSISTOR кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
2N2906AUB | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |