Технічний опис 2N3737 MOT
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO46-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V, Supplier Device Package: TO-46-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N3737
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3737 | Виробник : MOTOROLA |
 |
на замовлення 18500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N3737 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 500mW 3-Pin TO-46 Bag |
товар відсутній |
|
|
|
2N3737 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 500mW 3-Pin TO-46 Bag |
товар відсутній |
|
 |
2N3737 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 500mW 3-Pin TO-46 Bag |
товар відсутній |
|
; ; 3.jpg "2N3737") |
2N3737 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO46-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Supplier Device Package: TO-46-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
|
 |
2N3737 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товар відсутній |