Технічний опис 2N3740 MOT
Description: PNP TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 25 W.
Інші пропозиції 2N3740
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3740 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 60V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
товар відсутній |
|
 |
2N3740 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
товар відсутній |
|
 |
2N3740 | Виробник : Microchip Technology |
Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W |
товар відсутній |
|
 |
2N3740 | Виробник : Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |
|
|
|
2N3740 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |