2N3866A

2N3866A Central Semiconductor


2n3866_series-1368100.pdf Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 55Vcbo 30Vceo 3.5Vebo 0.4A 5.0W
на замовлення 625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3866A Central Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 400mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TO-39.

Інші пропозиції 2N3866A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N3866A Виробник : MOT 77284-lds-0175-datasheet 03+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N3866A Виробник : MOT 77284-lds-0175-datasheet
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N3866A 2N3866A Виробник : Microchip Technology 7382132505-lds-0175-1.pdf Trans RF BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin TO-39
товар відсутній
2N3866A 2N3866A Виробник : Microsemi Corporation 77284-lds-0175-datasheet Description: RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-39
товар відсутній