на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 918.3 грн |
| 10+ | 797.7 грн |
| 25+ | 674.96 грн |
| 50+ | 637.57 грн |
| 100+ | 600.18 грн |
| 250+ | 580.82 грн |
| 500+ | 543.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4858 InterFET
Description: JFET N-CH 40V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V, Supplier Device Package: TO-18, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Power - Max: 360 mW, Resistance - RDS(On): 60 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 500 pA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V.
Інші пропозиції 2N4858 за ціною від 3695.68 грн до 4358.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N4858 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2N4858 | Виробник : Microchip Technology |
Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| 2N4858 | Виробник : Microchip Technology |
JFET JFET |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
| 2N4858 | Виробник : MOT |
CAN |
на замовлення 689 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| 2N4858 | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| 2N4858 | Виробник : Central Semiconductor |
Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin TO-18 Box |
товар відсутній |
||||||||
 |
2N4858 | Виробник : Microchip Technology |
Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-18 Bag |
товар відсутній |
|||||||
 |
2N4858 | Виробник : Microchip Technology |
Description: JFET N-CH 40V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: TO-18 Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Power - Max: 360 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 500 pA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V |
товар відсутній |