Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N4920G
2N4920G

2N4920G ON Semiconductor

2n4918-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 34
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4920G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 30 W.

Інші пропозиції 2N4920G за ціною від 17.87 грн до 66.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N4920G 2N4920G Виробник : onsemi 2N4918_D-2309311.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.79 грн
10+ 47.21 грн
100+ 28.96 грн
500+ 23.71 грн
1000+ 19.79 грн
5000+ 18.73 грн
10000+ 17.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N4920G 2N4920G Виробник : onsemi 2n4918-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.05 грн
10+ 46.77 грн
100+ 32.36 грн
500+ 25.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N4920G 2N4920G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4920G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+66.24 грн
14+ 56.41 грн
100+ 41.28 грн
500+ 27.75 грн
1000+ 21.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N4920G 2N4920G Виробник : ON Semiconductor 2n4918-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N4920G 2N4920G Виробник : ON Semiconductor 2n4918-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній