на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.62 грн |
| 10+ | 44.92 грн |
| 100+ | 27.04 грн |
| 500+ | 22.52 грн |
| 1000+ | 17.14 грн |
| 5000+ | 17.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4922G onsemi
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2N4922G за ціною від 16.8 грн до 76.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N4922G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N4922G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 30W Case: TO225 Current gain: 10...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N4922G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 30W Case: TO225 Current gain: 10...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 284 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N4922G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N4922G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
2N4922G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N4922G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 30 W |
товар відсутній |