2N5551BU

2N5551BU ON Semiconductor


2n5551t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
127+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 127
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551BU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2N5551BU за ціною від 2.43 грн до 28.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1633+7.17 грн
2763+ 4.24 грн
3043+ 3.85 грн
10000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 1633
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1499+7.81 грн
2627+ 4.45 грн
2891+ 4.05 грн
10000+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 1499
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.87 грн
36+ 16.15 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 3.79 грн
2500+ 3.18 грн
10000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N5551BU 2N5551BU Виробник : onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 400784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.29 грн
18+ 15.82 грн
100+ 7.73 грн
500+ 6.05 грн
1000+ 4.2 грн
2000+ 3.64 грн
5000+ 3.32 грн
10000+ 2.76 грн
50000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.16 грн
35+ 17.02 грн
100+ 7.25 грн
1000+ 3.99 грн
2500+ 3.36 грн
10000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N5551BU 2N5551BU Виробник : onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 16886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.81 грн
18+ 17.39 грн
100+ 6.08 грн
1000+ 3.76 грн
2500+ 3.43 грн
10000+ 2.84 грн
30000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+28.45 грн
39+ 19.19 грн
100+ 8 грн
500+ 5.5 грн
1000+ 3.3 грн
5000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
товар відсутній