Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5551TF
2N5551TF

2N5551TF ON Semiconductor

2n5551-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TF ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TF за ціною від 2.12 грн до 25.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+2.8 грн
6000+ 2.5 грн
10000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+3.52 грн
10000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3081+3.8 грн
10000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3081
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+5.56 грн
100+ 3.89 грн
260+ 3.12 грн
705+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+6.67 грн
100+ 4.84 грн
260+ 3.74 грн
705+ 3.53 грн
10000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 13253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1516+7.72 грн
1613+ 7.25 грн
1633+ 7.17 грн
3037+ 3.72 грн
3062+ 3.41 грн
6000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 1516
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 13253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+22.83 грн
36+ 16.25 грн
37+ 16.09 грн
100+ 6.92 грн
250+ 6.01 грн
500+ 5.71 грн
1000+ 3.07 грн
3000+ 3.04 грн
6000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 48720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.58 грн
18+ 15.69 грн
100+ 7.64 грн
500+ 5.98 грн
1000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.12 грн
18+ 17.01 грн
100+ 6.08 грн
1000+ 4.1 грн
2000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній