2N5551YTA

2N5551YTA onsemi


technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.71 грн
18+ 15.85 грн
100+ 8.03 грн
500+ 6.15 грн
1000+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551YTA onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551YTA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5551YTA 2N5551YTA Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N5551YTA 2N5551YTA Виробник : onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній