Технічний опис 2N5610 NEC
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 2.5mA, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 25 W.
Інші пропозиції 2N5610
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5610 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 2.5mA Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
товар відсутній |
||
| 2N5610 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |