Продукція > ONSEMI > 2N5657G
2N5657G

2N5657G onsemi

2n5655-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1054+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 1054
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5657G onsemi

Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції 2N5657G за ціною від 20.75 грн до 20.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5657G 2N5657G Виробник : ON Semiconductor 2n5655-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5657G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5657G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 350V, TO-225-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2N5657G 2N5657G Виробник : ON Semiconductor 2n5655-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N5657G 2N5657G Виробник : onsemi 2n5655-d.pdf Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
2N5657G 2N5657G Виробник : onsemi 2N5655_D-2309524.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN
товар відсутній