2N5686G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
Description: TRANS NPN 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1235.65 грн |
10+ | 1048.22 грн |
25+ | 963.2 грн |
100+ | 850.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5686G onsemi
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Інші пропозиції 2N5686G за ціною від 793.79 грн до 1341.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5686G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5686G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 63-72 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5686G | Виробник : ON |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
2N5686G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N5686G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
товар відсутній |