Технічний опис 2N6581 MOT
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 3mA, Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції 2N6581
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6581 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 3mA Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 125 W |
товар відсутній |
||
| 2N6581 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |