2N6660 SOLID STATE
Виробник: SOLID STATE
Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 431.2 грн |
10+ | 351.15 грн |
100+ | 306.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6660 SOLID STATE
Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-205AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N6660 за ціною від 921.64 грн до 1582.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N6660 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6660 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6660 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6660 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 Packaging: Bag Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-39 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V |
на замовлення 3496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6660 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6660 | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 3 ohm, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 6.25W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6660 | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 60V 3Ohm |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6660 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6660 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6660 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6660 | Виробник : Semelab / TT Electronics | MOSFET N-CHANNEL TO39 |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N6660 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N6660 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N6660 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; TO39 Mounting: THT Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 3Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 1.5A Case: TO39 кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N6660 | Виробник : Semelab | Trans MOSFET N-CH 60V 1A 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N6660 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N6660 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N6660 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; TO39 Mounting: THT Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 3Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 1.5A Case: TO39 |
товар відсутній |