Технічний опис 2N6759 IR/MOT
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції 2N6759
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6759 | Виробник : MOT |
 01+ TO-3 |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N6759 | Виробник : Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
товар відсутній |