Технічний опис 2N6770 IR/MOT
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AE, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V.
Інші пропозиції 2N6770
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6770 | Виробник : MOT |
 01+ TO-3 |
на замовлення 460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N6770 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V |
товар відсутній |
|
 |
2N6770 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET N Channel MOSFET |
товар відсутній |
|
 |
2N6770 | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET |
товар відсутній |