2N6782

2N6782 Semelab


2n6782.pdf Виробник: Semelab
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6782 Semelab

Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AF Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V.

Інші пропозиції 2N6782

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N6782 Виробник : MICROSEMI 8905-lds-0064-datasheet кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N6782 2N6782 Виробник : Microsemi Corporation 8905-lds-0064-datasheet Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
товар відсутній
2N6782 2N6782 Виробник : Microchip Technology 8905-lds-0064-datasheet MOSFET N Channel MOSFET
товар відсутній
2N6782 2N6782 Виробник : onsemi / Fairchild 8905-lds-0064-datasheet MOSFET
товар відсутній
2N6782 2N6782 Виробник : Infineon / IR 8905-lds-0064-datasheet MOSFET
товар відсутній