Технічний опис 2N6796 Semelab
Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AF Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA, Supplier Device Package: TO-39, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.34 nC @ 10 V.
Інші пропозиції 2N6796
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6796 | Виробник : Semelab (TT electronics) |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
|
 |
2N6796 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
|
| 2N6796 | Виробник : MICROSEMI |
TO-205AF/N-CHANNEL MOSFET 2N6796 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
2N6796 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA Supplier Device Package: TO-39 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.34 nC @ 10 V |
товар відсутній |
|
 |
2N6796 | Виробник : Microchip Technology | MOSFET N Channel MOSFET |
товар відсутній |
|
 |
2N6796 | Виробник : Infineon / IR | MOSFET |
товар відсутній |
|
| 2N6796 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET |
товар відсутній |
||
 |
2N6796 | Виробник : Semelab / TT Electronics |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL TO39 |
товар відсутній |