2N7002K-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 160+ | 2.19 грн |
| 480+ | 1.68 грн |
| 1320+ | 1.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002K-7 DIODES INCORPORATED
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.
Інші пропозиції 2N7002K-7 за ціною від 1.38 грн до 10.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002K-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002K-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 137795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002K-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 137795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Channel |
на замовлення 143584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N7002K7 | 2N7002K7 Транзисторы |
на замовлення 952 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| 2N7002K-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
товар відсутній |