Продукція > NEXPERIA > 2N7002KQBZ
2N7002KQBZ

2N7002KQBZ Nexperia

2n7002kqb.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2229+5.22 грн
2253+ 5.17 грн
2591+ 4.49 грн
2799+ 4.01 грн
3043+ 3.42 грн
6000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 2229
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002KQBZ Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 720mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 960mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.635ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm.

Інші пропозиції 2N7002KQBZ за ціною від 3.05 грн до 25.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Виробник : NEXPERIA 3594602.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 960mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.635ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.36 грн
250+ 8.05 грн
1000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Виробник : Nexperia 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+14.13 грн
59+ 9.78 грн
60+ 9.32 грн
119+ 4.33 грн
250+ 4.11 грн
500+ 3.58 грн
1000+ 3.31 грн
3000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 41
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Виробник : NEXPERIA 3594602.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+21.68 грн
72+ 10.36 грн
250+ 8.05 грн
1000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Виробник : Nexperia 2N7002KQB-2721666.pdf MOSFET 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
на замовлення 11079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.26 грн
18+ 17.57 грн
100+ 7.71 грн
1000+ 5.05 грн
5000+ 4.32 грн
10000+ 3.45 грн
25000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002KQBZ Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002KQB.pdf Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.15 грн
17+ 17.02 грн
100+ 8.58 грн
500+ 6.57 грн
1000+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Виробник : Nexperia 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
товар відсутній
2N7002KQBZ Виробник : NEXPERIA 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A 3-Pin DFN-D T/R
товар відсутній
2N7002KQBZ Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002KQB.pdf Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній