Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1162-GR,LF
2SA1162-GR,LF

2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.99 грн
6000+ 1.82 грн
9000+ 1.54 грн
30000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SA1162-GR,LF за ціною від 1.33 грн до 12.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 54583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.47 грн
35+ 7.94 грн
100+ 4.25 грн
500+ 3.13 грн
1000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Виробник : Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 116279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.21 грн
34+ 9.22 грн
100+ 3.31 грн
1000+ 2.25 грн
3000+ 1.72 грн
9000+ 1.52 грн
24000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Виробник : Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Виробник : Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Виробник : Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній