2SA1943-O(S1,F Toshiba
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 205.62 грн |
10+ | 168.39 грн |
100+ | 113.96 грн |
250+ | 106.68 грн |
500+ | 98.72 грн |
1000+ | 86.8 грн |
2500+ | 83.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1943-O(S1,F Toshiba
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PL, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(L), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції 2SA1943-O(S1,F за ціною від 186.35 грн до 186.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1943-O(S1,F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC= Packaging: Tube Package / Case: TO-3PL Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(L) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SA1943-O(S1,F | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Magazine |
товар відсутній |
||||||
2SA1943-O(S1,F | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Magazine |
товар відсутній |