2SA1952TLQ

2SA1952TLQ Rohm Semiconductor


102sa1952tlq-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
380+30.58 грн
393+ 29.61 грн
398+ 29.23 грн
500+ 27.71 грн
1000+ 25.23 грн
Мінімальне замовлення: 380
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1952TLQ Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 5A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SA1952TLQ за ціною від 55.97 грн до 73.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1952TLQ 2SA1952TLQ Виробник : Rohm Semiconductor 102sa1952tlq-e.pdf Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+73.32 грн
166+ 70.04 грн
250+ 67.23 грн
Мінімальне замовлення: 159
2SA1952TLQ 2SA1952TLQ Виробник : Rohm Semiconductor 102sa1952tlq-e.pdf Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+73.32 грн
166+ 70.04 грн
250+ 67.23 грн
500+ 62.49 грн
1000+ 55.97 грн
Мінімальне замовлення: 159
2SA1952TLQ Виробник : ROHM 2sa1952.pdf 1020+ TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1952TLQ 2SA1952TLQ Виробник : Rohm Semiconductor 2sa1952.pdf Description: TRANS PNP 60V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SA1952TLQ 2SA1952TLQ Виробник : Rohm Semiconductor 2sa1952.pdf Description: TRANS PNP 60V 5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SA1952TLQ Виробник : ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohm-s-a0001071656-1-1742752.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 5A
товар відсутній