Продукція > TOSHIBA > 2SA1971(TE12L,F)
2SA1971(TE12L,F)

2SA1971(TE12L,F) Toshiba

12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
529+21.97 грн
531+ 21.87 грн
629+ 18.49 грн
1000+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 529
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1971(TE12L,F) Toshiba

Description: PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 35MHz, Supplier Device Package: PW-MINI, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SA1971(TE12L,F) за ціною від 11.93 грн до 45.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1971_datasheet_en_20131101.pdf?did=20431&prodName=2SA1971 Description: PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.57 грн
10+ 34.1 грн
100+ 23.71 грн
500+ 17.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 2SA1971_datasheet_en_20131101-1649640.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.3 грн
10+ 38.4 грн
100+ 24.98 грн
500+ 19.61 грн
1000+ 15.11 грн
2000+ 13.72 грн
10000+ 11.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1971_datasheet_en_20131101.pdf?did=20431&prodName=2SA1971 Description: PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній