Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SA2018E3HZGTL
2SA2018E3HZGTL

2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor

2sa2018e3hzgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1878+6.19 грн
2044+ 5.68 грн
2104+ 5.52 грн
2190+ 5.11 грн
3000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 1878
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SA2018E3HZGTL за ціною від 6.03 грн до 34.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : ROHM 2sa2018e3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+16.28 грн
500+ 11.32 грн
1000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor 2sa2018e3hzgtl-e.pdf Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
538+21.6 грн
558+ 20.82 грн
1000+ 20.14 грн
2500+ 18.85 грн
Мінімальне замовлення: 538
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.67 грн
14+ 21.19 грн
100+ 12.69 грн
500+ 11.02 грн
1000+ 7.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 5834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.92 грн
13+ 24.54 грн
100+ 14.51 грн
1000+ 8.48 грн
3000+ 7.16 грн
9000+ 6.56 грн
24000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : ROHM 2sa2018e3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+34.04 грн
28+ 26.83 грн
100+ 16.28 грн
500+ 11.32 грн
1000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 22
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній