2SA2154MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 2.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2154MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SA2154MFV-Y,L3F за ціною від 1.93 грн до 14.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SA2154MFV-Y,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 15910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SA2154MFV-Y,L3F | Виробник : Toshiba |
 Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR 50V |
на замовлення 15920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SA2154MFV-Y,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
товар відсутній |