2SAR514PHZGT100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 581+ | 20.12 грн |
| 602+ | 19.4 грн |
| 1000+ | 18.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR514PHZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 380MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SAR514PHZGT100 за ціною від 13.98 грн до 41.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR514PHZGT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 700mA Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR514PHZGT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 0.7A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR514PHZGT100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -80V -0.7A, Medium Power Transistor for Automotive |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SAR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 0.7A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |