Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SB1201S-TL-E
2SB1201S-TL-E

2SB1201S-TL-E ON Semiconductor

2sb1201.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.05 грн
25+ 23.67 грн
100+ 22.45 грн
250+ 20.45 грн
500+ 19.3 грн
Мінімальне замовлення: 24
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SB1201S-TL-E за ціною від 17.37 грн до 55.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : ONSEMI ONSMS36742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.59 грн
500+ 20.83 грн
700+ 17.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : onsemi en2112-d.html Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+25.83 грн
1400+ 21.17 грн
2100+ 18.85 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1201.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+25.9 грн
457+ 25.49 грн
465+ 25.08 грн
472+ 23.79 грн
500+ 21.66 грн
Мінімальне замовлення: 450
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : ONSEMI ONSMS36742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 150MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2A
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+48.21 грн
21+ 35.62 грн
100+ 24.59 грн
500+ 20.83 грн
700+ 17.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : onsemi en2112-d.html Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.74 грн
10+ 42.97 грн
100+ 29.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : onsemi EN2112_D-2311119.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 15307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.49 грн
10+ 48.43 грн
100+ 28.7 грн
700+ 22.52 грн
1400+ 20.46 грн
2100+ 18.53 грн
4900+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SB1201S-TL-E Виробник : ONSEMI ONSMS36742-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
980+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 980
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1201.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1201.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній